Технические характеристики
Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
Низкопрофильная (Low Profile)
Тайминги
CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
Дополнительно
Напряжение питания
1.5 В
Радиатор
есть