Технические характеристики
Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
2133 МГц
Пропускная способность
17000 Мб/с
Объем
2 модуля по 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
Низкопрофильная (Low Profile)
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
Дополнительно
Напряжение питания
1.5 В
Радиатор
есть