Технические характеристики
Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1866 МГц
Пропускная способность
15000 Мб/с
Объем
2 модуля по 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
Низкопрофильная (Low Profile)
Тайминги
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания
1.65 В
Радиатор
есть